消息称英伟达、苹果等科技巨头在韩挖角 HBM、AI 人才，开出六位数美元年薪

2 月 24 日消息，据 Trend Force 今天报道，英伟达、苹果等美国科技巨头正在韩国精准挖角三星电子和 SK 海力士的 AI、HBM 人才，试图缩小这两家韩企在内存市场的长期领先优势。

据报道，英伟达本月初在领英平台招聘 HBM 开发工程师，起步年薪高达 258750 美元（注：现汇率约合 179 万元人民币）；而苹果也在上个月公开招聘了 NAND 闪存产品工程师，年薪更是达到 305600 美元（现汇率约合 211.4 万元人民币）。

并且中国台湾地区的联发科也在这场挖角大战中寻找 HBM 工程师，年薪约 26 万美元（现汇率约合 179.8 万元人民币）。高通也有在韩国招聘 3D DRAM 研发人员。

值得注意的是，埃隆 · 马斯克近期也在 X 平台转发了特斯拉韩国分公司招聘 AI 半导体工程师的告示。

结合韩媒 Newsis 报道，美光也从其年底开始在韩国挖角三星、SK 海力士工程师，有消息称美光为了吸引专家跳槽开出了两倍薪资待遇，并提供 3 亿韩元（现汇率约合 144.4 万元人民币）的签约奖金。

而根据《The CHOSUN Daily》报道，三星电子半导体部门员工 A 表示，他最近在美国参加一场活动时收到了三份招聘邀约。A 描述了他在美国时的情况：“展会上，有的人看到了我胸牌的‘三星电子’就来找我搭话，问我对韩国的工作是否满意、年薪多少，最后直截了当地问我是否考虑换个工作”。

面对这种日益严重的人才外流现象，三星电子和 SK 海力士正采取更激进的奖励措施试图留才。

SK 海力士今年初发放了创纪录的绩效奖金，金额相当于每月基本工资的 2964%。而三星半导体也在去年发放了最高达年薪 47% 的奖金。

不过行业观察人士指出，这些措施可能无法完全遏制人才外流。毕竟在硅谷，资深工程师的基础年薪随便就能超过 30 万美元，并且很多人还能拿到股份奖金。